VCSEL襯底
發(fā)布時間:2020-07-08 16:07:17
VCSEL襯底
摻鋅導體材料在光電子領(lǐng)域中作為外延襯底砷化鎵用于制造激光二極管等光電子器件(LD)。
1、產(chǎn)品圖片
摻鋅砷化鎵晶體拋光片(直徑3英寸、4英寸、6英寸)
2、產(chǎn)品規(guī)格
Production Specification |
VCSEL |
Growth Method: |
VGF |
Conduct Type: |
N |
Dopant: |
Si |
Diameter: |
4"-6" |
Ingot CC: |
0.8-4.0 E18 |
Resistivity: |
1.0-6.0 E-3 |
Mobility: |
≥1500 |
EPD: |
Ave. :≤ 500 |
Bow: |
<10 |
Warp: |
<10 |
TTV: |
<5 |
Light Point Defects: |
≤ 100 |
3、應用領(lǐng)域
人臉識別
自動結(jié)算
自動駕駛
門禁系統(tǒng)
電子產(chǎn)品
智能家居