VCSEL襯底
發(fā)布時間：2020-07-08 16:07:17
VCSEL襯底
摻鋅導體材料在光電子領(lǐng)域中作為外延襯底砷化鎵用于制造激光二極管等光電子器件（LD）。
1、產(chǎn)品圖片
摻鋅砷化鎵晶體拋光片（直徑3英寸、4英寸、6英寸）
2、產(chǎn)品規(guī)格
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Production Specification |
VCSEL |
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Growth Method: |
VGF |
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Conduct Type: |
N |
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Dopant: |
Si |
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Diameter: |
4"-6" |
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Ingot CC: |
0.8-4.0 E18 |
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Resistivity: |
1.0-6.0 E-3 |
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Mobility: |
≥1500 |
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EPD: |
Ave. :≤ 500 |
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Bow: |
＜10 |
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Warp: |
＜10 |
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TTV: |
＜5 |
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Light Point Defects: |
≤ 100 |
3、應用領(lǐng)域
人臉識別
自動結(jié)算
自動駕駛
門禁系統(tǒng)
電子產(chǎn)品
智能家居
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