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先進半導體

Advanced Semiconductor

VCSEL襯底

發(fā)布時間:2020-07-08 16:07:17

VCSEL襯底

摻鋅導體材料在光電子領(lǐng)域中作為外延襯底砷化鎵用于制造激光二極管等光電子器件(LD)。

 1、產(chǎn)品圖片

           摻鋅砷化鎵晶體拋光片(直徑3英寸、4英寸、6英寸)

2、產(chǎn)品規(guī)格

Production Specification

VCSEL

Growth Method:

VGF

Conduct Type:

N

Dopant:

Si

Diameter:

4"-6"

Ingot CC:

0.8-4.0 E18

Resistivity:

1.0-6.0 E-3

Mobility:

≥1500

EPD:

Ave. :≤ 500

Bow:

<10

Warp:

<10

TTV:

<5

Light Point Defects:

≤ 100

3、應用領(lǐng)域

 人臉識別

 

 自動結(jié)算

 

自動駕駛

 

 門禁系統(tǒng)

 

 電子產(chǎn)品

 

智能家居

  

 

 

 

 

 

 

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